8 月 8 日消息，三星在 2024 年閃存峰會 (FMS) 上展示了多款 SSD 新品 ——PM1753、BM1743、PM9D3a、PM9E1，還對第九代 QLD V-NAND、TLC V-NAND 以及 CMM-D – DRAM 、CMM-H TM、CMM-H PM、CMM-B CXL 技術進行了介紹。

BM1743 采用 QLC 閃存，容量可達 128TB，連續讀取速度為 7.5 GB/s，寫入速度 3.5 GB/s，隨機讀取 160 萬 IOPS，寫入 45000 IOPS，采用 2.5 英寸外形和 U.2 接口，閑置功耗降低至 4W，后續 OTA 更新后甚至只需要 2W。

三星 PM1753 速度更快，連續讀取速度達 14.8 GB/s，寫入速度 11 GB/s，承諾可提供 340 萬 IOPS 隨機讀取性能，寫入 60 萬 IOPS，最大容量為 32 TB，提供 U.2 及 E3.S 版本可選，其他細節尚未公布。

三星 PPT 中還提到了一款容量為 1 PB 的 SSD，但預期發布日期是 2035 年。此外，容量為 256 TB 的 SSD 將于 2024~2026 年之間推出；512 TB 將在 2027~2029 年推出，僅規劃用于 EDSFF-E3.L 數據中心。至于消費級的 M.2，我們至少得等到 2027 年才能從三星那里買到 16 TB 的相關產品。

▲ 三星電子副總裁，先行開發團隊負責人張實完（Silwan Chang）發表主題演講

IT之家注意到，三星電子也在今日在北京舉辦的 2024 年開放計算中國峰會（OCP China）上提到了多款相關產品，例如 2023 年末推出的 PM1743a（32TB / 64TB），以及數據中心級 PM9D3a，以及基于第九代 VNAND 技術的 PM1753 等產品。

▲ 三星半導體展臺現場展示創新大容量存儲產品 PM9D3a

據介紹，作為三星業界首款 8 通道 PCIe Gen5 SSD，PM9D3a 突破了現有閃存層次結構的限制，實現了每 TB 高達 50K IOPS 的隨機寫入性能，并率先支持 FDP 技術，已經在美國以及中國的主要數據中心完成引入測試。

三星電子即將推出的新一代 PCIe Gen5 SSD PM1753 與上一代產品相比，順序寫入性能提升 1.6 倍，隨機讀寫速度分別提升 1.3 和 1.7 倍。

三星表示，在追求技術突破的同時，AI 處理功耗的重要性也不容忽視。同樣以基于 TLC 技術的 PM1753 為例，其 AI 工作負載下的順序寫入能效比上一代相比提高 1.7 倍，在傳統服務器中的隨機 I / O 操作的能效也提高了 1.6 倍。AI 應用既要優化 I / O 操作時的功耗，同時也要降低 SSD 在待機狀態下的功耗。PM1753 的閑置功耗已經降至 4W，下一代產品計劃將閑置功耗壓縮至 2W，助力數據中心實現節能減排的目標。PM1753 有望成為生成式 AI 服務器應用所需的出色解決方案。

在演講末尾，三星還介紹了近期正在進行客戶測試的 HBM3E 內存產品，預計其速度可高達 9.8Gbps，帶寬不低于 1TB/s；而下一代 HBM4 產品預計會在 2025 年介紹給大家。同時，三星還提及了業界首款基于 SoC（處理器）的 CMM 產品 CMM-H，包括 CMM-PM 和 CMM-H TM，分別針對數據持久性和虛擬機遷移需求，為 AI 時代提供更強大的內存解決方案。